- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/30 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région noyau de mémoire
Détention brevets de la classe H10B 53/30
Brevets de cette classe: 216
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
47 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
40 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
31 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
24 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
14 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 100781 |
8 |
| Ferroelectric Memory GmbH | 64 |
7 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
3 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 8770 |
3 |
| Intel Corporation | 45621 |
2 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6459 |
2 |
| IMEC VZW | 1410 |
2 |
| Microchip Technology Incorporated | 2644 |
2 |
| Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation | 388 |
2 |
| Terra Quantum AG | 62 |
2 |
| Sony Group Corporation | 10730 |
2 |
| International Business Machines Corporation | 60644 |
1 |
| Texas Instruments Incorporated | 19376 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
1 |
| Industrial Technology Research Institute | 4898 |
1 |
| Autres propriétaires | 21 |